光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜，如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時，深紫外光譜橢偏儀也是的。可見或近紅外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然，如果必須確定光學常數，則應將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置，如波長分辨率，角度范圍等，將根據所需的應用進行考慮。
光譜橢偏儀特征：
?基于Window軟件，易于操作；
?的光學設計，實現系統性能；
?高功率DUV-VIS-NIR光源，適用于寬帶應用；
?基于陣列的探測器系統，確保快速測量；
?用戶可以根據需要定義任意數量的圖層；
?能夠用于實時或在線厚度，折射率監測；
?系統配有全面的光學常數數據庫；
?高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表，色散或有效介質近似（EMA）；
?三種不同的用戶級別控制：工程師模式，系統服務模式和簡易用戶模式；
?靈活的工程模式，適用于各種配方設置和光學模型測試；
?強大的一鍵式按鈕解決方案，用于快速和常規測量；
?可按照用戶偏好配置測量參數，操作簡便；
?系統全自動校準和初始化；
?直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口，無需外部光學元件；
?精確的高度和傾斜程度調整；
?適用于許多不同類型的不同厚度的基材；
?各種選項，附件可用于特殊配置，如繪圖階段，波長擴展，焦點等；
?2D和3D輸出圖形以及用戶數據管理界面；
光譜橢偏儀應用：
?半導體制造（PR，氧化物，氮化物......）
?液晶顯示器（ITO，PR，Cell gap ......）
?法醫學，生物學材料
?油墨，礦物學，顏料，調色劑
?制藥，
?光學涂層，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......
?半導體化合物
?MEMS / MOEMS中的功能薄膜
?無定形，納米和硅晶圓
?太陽能電池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS ....
光譜橢偏儀技術參數：
型號 |
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探測器類型 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 | CCD或CMOS和InGaAs陣列 | ||||
波長范圍（nm） | 190至1100 | 370至1100 | 370-1700 | 190-1700 | ||||
波長點 | 測量波長范圍和波長數據點均在用戶配方中自定義（數據點僅受分辨率限制） | |||||||
波長分辨率 | 0.01 -3nm | 0.01 -3nm | 0.01至3nm | 0.01至3nm | ||||
數據采集時間 | 100毫秒到10秒，用戶自定義 | |||||||
入射角范圍 | 20至90度 | |||||||
入射角分辨率 | 帶手動測角儀的5度預設步驟，用于SExxx-BM配置; 程序控制0.001度分辨率，配有自動測角儀，適用于SExxx-BA配置 | |||||||
偏光光學 | 旋轉偏振器，分析器和/或補償器的組合 | |||||||
光束尺寸 | 準直光束，光束尺寸可在1至5mm范圍內調節光圈; 可選的聚焦光束模式（可拆卸）可用于減小光斑尺寸 | |||||||
光源 | （D2 + TH）/氙 | TH | TH | （D2 + TH）/氙 | ||||
燈泡壽命 | 4000小時 | 10000小時 | 10000小時 | 4000小時 | ||||
可測量的厚度范圍 | 高達30μm | 20nm至50μm | 20nm至50μm | 高達50μm | ||||
厚度精度 | <1?或0.1％ | |||||||
索引精度 | 優于0.0001 | |||||||
厚度準確度 | 優于0.25％ | |||||||
