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希而科工業控制設備（上海）有限公司 ¥ 1111 【儀表網 行業標準】近日，國家標準計劃《光纖試驗方法規范 第33部分：機械性能的測量方法和試驗程序 應力腐蝕敏感性參數》《光纖試驗方法規范 第40部分：傳輸特性的測量方法和試驗程序 衰減》編制完成并征求意見，時間截止到2023年5月23日。主要起草單位為中國信息通信科技集團有限公司。
《光纖試驗方法規范 第33部分：機械性能的測量方法和試驗程序 應力腐蝕敏感性參數》
本文件規定了五種確定應力腐蝕敏感性參數的主要試驗方法,確立了有關石英光纖應力腐蝕敏感性參數測量的統一試驗程序和技術要求。本文件適用于A1、A2、A3類多模光纖、B類和C類單模光纖的測量。
IEC對光纖應力腐蝕敏感性參數方法的標準做了更新，2008年以來，IEC 60793-1-33 Edition 2.0在2017年8月進行了更新，新版標準中，適用范圍從B1類擴大到全部B類單模光纖，且增加了C類單模光纖，更改了基準試驗方法的規定。為了確保國家標準的先進性,因此有必要對GB/T 15972.33——2008進行修訂。
本文件代替GB/T 15972.33-2008《光纖試驗方法規范第33部分:機械性能的測量方法和試驗程序——應力腐蝕敏感性參數》。本文件與GB/T 15972.33-2008相比，主要技術變化如下:
a)更改了“范圍”的適用光纖類型，增加了A3類多模光纖和C類單模光纖(見第1章，2008年版的第1章)﹔
b)更改了基準試驗方法，取消了軸向張力法作為基準試驗方法的規定，基準試驗方法待討論(見第4章，2008年版的第3章)﹔
c)更改了斷裂應力的公式A.2、中值斷裂應力隨恒定應力速率變化的公式A.7、截距公式A.8和斷裂應力對應力速率的動態疲勞曲線圖A.4(見附錄A.5.3，2008年版的附錄A.5.3) ;
d)更改了中值斷裂應力隨恒定壓板速度變化的公式B.5、截距公式B.6和動態疲勞數據圖B.3(見附錄B.5.2，2008年版的附錄B.5.2) ;
e)更改了線性回歸公式C.1和截距公式C.2(見附錄C.5.3，2008年版的附錄C.5.3);
f)更改了兩點彎曲靜態疲勞裝置示意圖D.1(見附錄D，2008年版的附錄D)
g)更改了動態應力腐蝕敏感性參數 na的數值算法的公式(見附錄F.2，2008年版的附錄F.2);
h)更改了計算斷裂應力的方法(見附錄F.3，2008年版的附錄F.3) ;
i)更改了斷裂強度對“有效”斷裂時間的系列試驗結果圖H.1和圖H.2(見附錄H，2008版的附錄H)。
《光纖試驗方法規范 第40部分：傳輸特性的測量方法和試驗程序 衰減》
本文件規定了光纖的衰減特性的試驗方法,確立了有關光纖衰減參數測量的統一試驗程序和技術要求。本文件適用于對A類和B類光纖和光纜的衰減特性測量。
IEC對光纖衰減特性的標準做了更新，2001年以來，IEC 60793-1-40Edition 2.0在2019年3月進行了更新,主要新增了B6類單模光纖測量和A4類多模光纖校準的詳細要求。為了確保國家標準的先進性，有必要對GB/T 15972.40——2008進行修訂。
本文件代替GB/T 15972.40-2008《光纖試驗方法規范第40部分:傳輸特性和光學特性的測量方法和試驗程序-衰減》。本文件與GB/T15972.40-2008相比，主要技術變化如下:
a)增加了光纖衰減均勻性的規定(見3.4和4.4);
b)增加了測量和試驗的環境條件(見6);
c)增加了B6類光纖中濾除高階模細節規定(見A.2.2.4);
d)更改了A1類多模光纖注入條件的適用光纖類型，不限于漸變折射率型(見附錄A.2.3;見2008年版A.1.3);
e)增加了對A1類多模光纖衰減的測試長度細節規定(見A.2.3.1);
f)更改了A1類多模光纖光學注入規定(見A.2.3.2;見2008年版A.1.3.2g)增加了Al類多模光纖攪模器的示例(見A.2.3.3)；
h)更改了A2、A3、A4類多模光纖注入裝置的適用光纖類型，不限于突變折射率型(見A.2.4;見2008年版A.1.4);
i)增加了方法A中A4類多模光纖的校準規定(見A.2.5.2);
j)增加了方法B的校準規定(見B.2.3);
k)更改了方法C測試的細節規定，將注的內容改為正文(見C.2.6，見2008年版C.1.5);
l)更改了方法C試樣處理細節規定，將注的內容改為正文(見C.3，見2008年版C.2);
m)增加了方法C的校準規定(見C.4.6);
n)增加了A1類短段多模光纖測量結果示例(見附錄E)。
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