高真空磁控濺射儀（可噴鎂，鋁，金銀鉑） 型號:KM1-SD-650MH庫號：M403191 查看hh
原理：
濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在
異常輝光放電產生的等離子體在電
場的作用下，對陰極靶材表面進行轟
擊，把靶材表面的分子、原子、離子
及電子等濺射出來，被濺射出來的粒
子帶有一定的動能，沿一定的方向射
向基體表面，在基體表面形成鍍層。
高真空磁控濺射儀（可噴鎂，鋁，金銀鉑） 型號:KM1-SD-650MH庫號：M403191 查看hh原理：濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材表面進行轟擊，把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方向射向基體表面，在基體表面形成鍍層。濺射時產生的快電子在正交的電磁場中作近似擺線運動，增加了電子行程，提高了氣體的離化率，同時高能量粒子與氣體碰撞后失去能量，基體溫度較低，在不耐溫材料上可以完成鍍膜。用途：KM1-SD-650MH 高真空磁控濺射鍍膜儀是袖珍型磁控濺射設備,主要由濺射真空室、磁控濺射靶、樣品臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。高真空濺射可用于金屬、半導體、絕緣體等多種薄膜材料的制備，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點，可用于大專、科研院所的薄膜材料研究、制備。參數：儀器主機尺寸: 長 610mm×寬 420mm×高 220mm（注：含腔體總高 490mm）工作腔室尺寸： 標配：玻璃腔體（高度可選）：直徑 260mm×高 200mm（外尺寸）直徑 240mm×高 200mm（內尺寸）選配：金屬腔體：直徑 260mm×高 270mm（外尺寸 ）直徑 210mm×高 270mm（內尺寸）靶頭： 標配：單靶選配：雙靶（雙靶儀器主機尺寸和工作腔體尺寸會隨之增大）靶材尺寸： 直徑 50mm×厚 3mm（因靶材材質不同厚度有所不同）靶材料： 標配一塊直徑 50mm×3mm 的銅靶（可選配多種靶材）靶槍冷卻方式： 水冷真空系統： 抗沖擊渦輪分子泵，抽速為 300L/s前級機械泵： 抽速為 4L/s，帶防返油電磁閥及油污過濾器真空測量： 采用復合真空計監測真空真空度: 5×10-5Pa（10 分鐘可到 9×10-4Pa）電源： 標配：直流恒流電源：輸入電壓：220V輸出電壓：0-600v輸出電流：0-1.6A選配：射頻功率電源：功率 1000W，配射頻匹配器。載樣臺： 直徑 200mm，可根據客戶需求定制載樣臺。工作氣體： Ar 等惰性氣體（需自備氣瓶及減壓閥）氣路： 濺射真空度手動調整（可選配氣體質量流量計）水冷： 自循環冷卻水機電源電壓： 220V 50Hz啟動功率 3KW
